Opis: Celem projektu jest zbadanie możliwości modyfikacji właściwości elektronowych warstw przypowierzchniowych azotków grupy III (GaN, AlGaN, GaNAs) przez zastosowanie inżynierii pasma walencyjnego. Z uwagi na ograniczony wybór metali o odpowiednio wysokiej pracy wyjścia, kluczowym wyzwaniem, w ramach realizacji projektu, jest poprawa jakości kontaktów omowych wykonywanych z wykorzystywanych w technologii materiałów szerokoprzerwowych metali. Zakłada się, że jest to możliwe w wyniku kontrolowanej modyfikacji właściwości elektronowych materiałów półprzewodnikowych, przy zastosowaniu cienkich warstw metali przejściowych. Taki zabieg ma na celu obniżenie wymagań dotyczących pracy wyjścia materiałów elektrodowych, co przełoży się na poprawę stabilności termicznej oraz wydłużenie żywotności urządzeń elektronicznych. Środki finansowe zostaną przeznaczone na zakup sond do mikroskopu sił atomowych (KPFM, AFM) oraz na udział w międzynarodowej konferencji naukowej.

Wnioskowany budżet: 20 000 zł

Czas realizacji: 2025 rok